Идентификация скоплений междоузельных атомов в монокристаллах арсенида галлия, легированного кремнием, методом диффузного рассеяния рентгеновских лучей

Методом измерения интегрального диффузного рассеяния рентгеновских лучей на двухкристальном спектрометре в брэгговской геометрии исследованы микродефекты в монокристаллах GaAs, легированных Si. Установлено, что в кристаллах, легированных до уровня ${\sim3\cdot10^{18}\,\text{ат}\cdot\text{см}^{-3}}$, основными микродефектами являются кластеры собственных междоузельных атомов размером 0.1$-$0.4 мкм. На линеаризованной угловой зависимости интенсивности диффузного рассеяния $I$ монокристаллами GaAs, легированными Si до уровня выше ${3\cdot10^{18}\,\text{ат}\cdot\text{см}^{-3}}$, обнаружены два излома и не наблюдавшийся ранее участок зависимости ${I\sim(\Delta\theta)^{-3}}$, который связан с преобладанием в этих кристаллах дислокационных петель внедренного типа с радиусом ${\sim0.5}$ мкм.