Влияние ионизационных и ядерных потерь энергии тяжелых ионов на дефектообразование в кристаллах LiF

Изучены спектры поглощения и механические свойства кристаллов LiF, облучен- ных ионами Хе$^{136}$ (118 МэВ), Аr (225, 46.3 МэВ), Ne$^{20}$ (112.5 МэВ), Ne$^{22}$ (26.9 МэВ) в интервале доз $10^{10}{-}10^{14}\,\text{см}^{-2}$. Показано, что число образовавшихся анионных вакансий определяется полными ионизационными потерями тяжелых ионов. Наблюдаемые различия в дозовых зависимостях концентраций точечных дефектов для ионов Хе, Аr и Ne, начиная с некоторой дозы облучения, могут быть объяснены перекрытием треков ионов. Изменение механических свойств LiF определяется радиационными дефектами, образованными в результате упругих столкновений бомбардирующих ионов с атомами кристалла.