Двухгалоидная дырочная автолокализация и люминесценция в галогенидах тяжелых металлов

Методом оптической спектроскопии с временным разрешением проведено сравнительное исследование зависимостей выхода быстрозатухающего (${\lesssim7}$ нс) ультрафиолетового свечения (БС), выхода автолокализованных экситонов (АЛЭ) и эффективности образования $F$-центров окраски в кристаллах CsBr и BaF$_{2}$ от температуры $T$ и плотности $P$ импульсного электронного возбуждения (0.25 МэВ, 20 нс) в интервале 80$-$650 K и ${6\cdot10^{5}{-}6\cdot10^{7}\,\text{Вт}\cdot\text{см}^{-2}}$ соответственно. Установлено подобие свойств БС и АЛЭ в отношении чувствительности как к температуре, так и к интенсивности радиационного воздействия. Сделано заключение о том, что быстрые излучательные процессы, ответственные за БС, реализуются в анионной подрешетке и лимитируются теми же факторами, что и создание АЛЭ и $F$-центров. Предполагается, что БС в CsBr и BaF$_{2}$ является разновидностью «горячей» люминесценции АЛЭ, двухгалоидное дырочное ядро которого совершает затухающие колебания центра масс относительна равновесного положения.