Особенности структуры ионно-имплантированных слоев в пленках железо-иттриевого граната

С помощью послойного стравливания пленок железо-иттриового граната, подвергнутых ионной имплантации, и регистрации изменения коэффициента затухания ПМСВ и характеристик спектра ФМР получена картина пространственного распределения поля одноосной магнитной кристаллографической анизотропии имплантированных в пленку ионов и вызванных ими радиационных дефектов. Предложена модель имплантированного слоя.