Локальные дислокационные электронные уровни в щелочно-галоидных кристаллах

На основе метода решеточных функций Грина, исходя из известной трехмерной конфигурации ионов в ядре дислокации для кристаллов NaCl, KCl, LiF, рассчитано электрическое возмущение, вызывающее отщепление $\Delta_{c,v}$ локальных дислокационных уровней от дна зоны проводимости и потолка валентной зоны.