Аннотация:
Обсуждается возможность образования сильно связанного экситона в сегнетоэлектриках типа порядок$-$беспорядок. Показано, что с помощью внешнего электростатического поля можно варьировать положением и шириною экситонной зоны. Кроме того, в экситонной области спектра указанных сегнетоэлектриков без использования оптических резонаторов и электронных устройств можно наблюдать явление оптической бистабильности при низких интенсивностях падающего излучения.
УДК:
537.226.33
Поступила в редакцию: 19.09.1988 Исправленный вариант: 02.02.1989