Два режима экранирования электрического поля в высокоомных полупроводниках с глубокими центрами

Теоретически и экспериментально исследованы два новых режима в динамике экранирования электрического поля в высокоомных компенсированных полупроводниках. В одном из них происходит медленное расширение единственного обедненного слоя, а во втором — образование многочисленных слоев объемного заряда чередующихся знаков. Оба режима наблюдались в кристалле Bi$_{12}$SiO$_{20}$ при различных температурах. Результаты эксперимента объясняются на основе простой модели, учитывающей ионизацию глубоких примесных центров, перенос носителей заряда и обратный захват. Выявлена роль различных типов глубоких центров в процессах переноса заряда в Bi$_{12}$SiO$_{20}$.