Косвенное взаимодействие экранированных диполей в узкощелевых полупроводниках типа A$^{4}$B$^{6}$

Рассмотрена задача о косвенном взаимодействии через электронную подсистему примесей с дипольным моментом в узкощелевых полупроводниках со спектром дираковского типа. Масштабом, определяющим характер взаимодействия между экранированными диполями, является отношение матричного элемента межзонного взаимо- действия к полуширине энергетической щели в спектре $v/\Delta$. При среднем расстоянии между диполями ${\bar{R}\ll v/\Delta}$ энергия парного взаимодействия ${\varepsilon_{\text{int}}\sim\bar{R}^{-5}}$ и преобладает антисегнетоэлектрическое взаимодействие. На больших расстояниях ${\bar{R}\gg v/\Delta}$ имеет место тенденция к сегнетоэлектрическому упорядочению примесных диполей.