Вольт-амперные характеристики контакта металл$-$ферромагнитный полупроводник HgCr$_{2}$Se$_{4}$

Экспериментально исследованы вольт-амперные характеристики (ВАХ) контакта металл (М)$-$ферромагнитный полупроводник (ФМП). Полученные результаты объяснены туннелированием носителей заряда из М в верхнюю незаполненную подзону ФМП, образованную из зоны проводимости расщеплением за счет $s{-}d$-обменного взаимодействия. Также обнаружено, что при понижении температуры имеет место переход от выпрямляющего контакта к омическому, что связано с увеличением работы выхода электронов из ФМП вследствие так называемого «красного сдвига» дна зоны проводимости.