О центрах примесной фотопроводимости и скрытого изображения в кристаллах Bi$_{12}$SiO$_{20}$ и его аналогах

Предполагается, что кристаллы Bi$_{12}$SiO$_{20}$ и его аналоги, выращенные (отожженные) на воздухе, имеют стехиометрический избыток кислорода, приводящий к образованию Bi$^{5+}$ в подрешетке Bi$^{3+}$. Bi$^{5+}$ может рассматриваться как дырочный биполярон. Запись изображения в примесной области поглощения сопровождается возбуждением биполярона, диссоциацией его на две дырки, движением этих дырок во внешнем электрическом поле, рекомбинацией дырок с образованием биполярона, т. е. Bi$^{5+}$, но уже на некотором расстоянии от места возбуждения. Возникающее при этом перераспределение концентрации биполяронов приводит к образованию внутреннего электрического поля в кристалле. Записанное таким образом изображение диамагнитно и устойчиво во времени.