Исследование свойств пленок (Gd, Tm, Bi)$_{3}$(Fe, Ga)$_{5}$O$_{12}$ в окрестности точки компенсации момента импульса

Приведены результаты исследования пленок (Gd, Tm, Bi)$_{3}$(Fe, Ga)$_{5}$O$_{12}$ методами высокоскоростной фотографии и ферромагнитного резонанса в интервале температур 150$-$450 K, включающем точку компенсации момента импульса (КМИ). Впервые экспериментально исследованы динамические параметры МПФГ в окрестности точки КМИ одновременно методами высокоскоростной фотографии (ВСФ) и ферромагнитного резонанса (ФМР). Показано, что смена знака гиромагнитного отношения при переходе через точку КМИ приводит к изменению направления выстраивания полосовых доменов, образующихся в результате эволюции уединенной доменной стенки (ДС) под действием полей рассеяния МПФГ. Установлена область температур вблизи точки КМИ, в которой справедлива одномерная модель движения ДС.