Тонкая структура магнитоэлектропоглощения компоненты сильной бигармонической световой волны в полупроводнике

Рассматривается полупроводниковый кристалл, находящийся под воздействием электрического поля $\mathbf F_{1}$ ${\cos\omega_{1}t+\mathbf F_{0}\cos\omega_{0}t}$ двух сильных световых волн, а также стационарных однородных электрического $\mathbf E$ и магнитного $\mathbf H$ полей (${\mathbf F_{1}\parallel\mathbf F_{0}\parallel\mathbf E\parallel\mathbf H}$). Рассчитывается мощность межзонного многофотонного поглощения волны с частотой $\omega_{1}$. Расстройка частот ${\omega_{1}-\omega_{0}}$ не превышает характерную частоту (${\Omega_{R}=e^{2}F_{0}F_{1}(2\mu\hbar\omega_{0}\omega_{1})^{-1}}$ ($\mu$ — приведенная эффективная масса электронов и дырок). Получено аналитическое выражение для поглощаемой мощности. Показано, что электрическое поле $\mathbf E$ создает возможность для возгорания в спектре поглощения высокочастотной осцилляционной структуры с максимумами при ${\Omega=\Omega_{R/s}}$ (${s=1}$, 2, 3, …) и детектирования отдельной группы пиков вблизи данного значения $s$.