Оценка оптической ширины запрещенной зоны сверхрешеток Si$-$SiO$_{2}$

Экспериментально получено изменение положения края собственного поглощения сверхрешеток Si$-$SiO$_{2}$ при изменении их периода за счет изменения толщины слоев окиси кремния. Показано, что полученные результаты можно объяснить изгибом зон на границе раздела Si$-$SiO$_{2}$.