Рассеяние электромагнитных волн неравновесной столкновительной многокомпонентной плазмой в полупроводниках

Рассчитан спектр света, рассеянного электронно-дырочной плазмой полупроводника в условиях дрейфа носителей. В контролируемом столкновениями режиме, когда изменение волнового вектора света при рассеянии мало по сравнению с обратными длинами пробега электронов и дырок, дифференциальное сечение рассеяния света выражено через кинетические характеристики электронной и дырочной систем — коэффициенты диффузии, дрейфовые скорости и времена максвелловской релаксации. В случае многодолинного полупроводника показано, как на опыте в сечении рассеяния света разделить вклады от рассеяния на неэкранированной моде, обусловленной «флуктуациями масс», и на квазинейтральной моде, обусловленной амбиполярными флуктуациями плотности носителей.