Оптические свойства и структура химических связей $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H

Методом ИК спектроскопии изучались структурные свойства пленок $a$-Si$_{1-x}$C$_{x}$ : H с разным составом, полученных методом тлеющего разряда. Проведен анализ факторов, влияющих на изменение силы осциллятора различных колебаний SiH$_{n}$ и СН$_{n}$ групп и положения максимума соответствующих полос поглощения при изменении $x$. Показана связь структуры в этих пленках с плотностью материала и различными оптическими параметрами ($E_{g}$, $n_{0}$, $E_{y}$, $B$). Приведены зависимости $E_{g}$, $n_{0}$ от плотности.