Аннотация:
Исследовалось рассеяние неравновесных фононов дислокациями в кристаллах LiF методом «тепловых» импульсов. Измерения температурной зависимости рассеяния фононов показали ее резонансный характер. Длина дислокационных сегментов менялась с помощью $\gamma$-облучения.