Экситонное комбинационное рассеяние света в двумерной электронной системе

Исследовано экситонное комбинационное рассеяние света с частотой, соответствующей области фундаментального поглощения, в двумерной электронной системе. Проанализированы частотные и угловые зависимости сечения рассеяния света для различных поляризаций возбуждающего и рассеянного света. Приведены результаты численных оценок для гетероструктур GaAs/AlGaAs.