Ударное возбуждение и оже-распад экситонно-примесных комплексов в системе экситонов высокой плотности

В условиях умеренно высоких интенсивностей возбуждения ($10^{3}{-}10^{4}\,\text{Вт/см}^{2}$) и гелиевых температур исследованы спектры экситонно-примесной люминесценции кристаллов сульфида кадмия. Установлено, что при повышении плотности возбуждения линии излучения экситонов, связанных на нейтральных акцепторах, сохраняются в спектре во всем исследованном интервале возбуждений, в то время как линии излучения экситонов, связанных на нейтральных донорах ($I_{2}$), испытывают сильное гашение. Такое поведение линий экситонно-примесной люминесценции обусловлено различной электронной структурой комплексов $A^{0}x$ и $D^{0}x$. Гашение линии $I_{2}$ объясняется оже-распадом возбужденного состояния комплекса $D^{0}x$, которое заселяется в процессах столкновений свободных экситонов с комплексом $D^{0}x$. Разработана теоретическая модель явления. Получено хорошее согласие модельных расчетов с экспериментальными данными. Отмечается, что индуцированный экситонными ударами оже-распад комплекса $D^{0}x$ может играть существенную роль в процессе саморазогрева плотного экситонного газа.