Влияние заряда глубокого примесного центра на оптические переходы в сложную валентную зону

Обсуждается влияние зарядового состояния глубокого центра на спектральную зависимость его сечения фотоионизации при переходах в сложную валентную зону. Показано, что влияние заряда глубокого центра может быть учтено путем умножения парциальных сечений фотопереходов в подзоны тяжелых и легких дырок на соответствующие факторы Зоммерфельда. Эти факторы зависят лишь от надпороговой энергии фотовозбужденного носителя и параметров зонной структуры и определяются видом кулоновских волновых функций сплошного спектра при ${r\to0}$. Приводятся результаты расчетов в рамках сферического приближения факторов Зоммерфельда для уровней различной симметрии. Обсуждается схема расчета кулоновских волновых функций сплошного спектра сложной зоны, не связанная с конечно-разностными методами решения дифференциальных уравнений.