Универсальная диаграмма характеристических параметров центров прилипания носителей заряда и соответствующих термостимулированных спектров в полупроводниках и диэлектриках

На основе данных теоретических и экспериментальных исследований электронных термостимулированных явлений ТСЯ обосновано существование общей для всего многообразия центров прилипания носителей заряда в твердотельных диэлектриках и полупроводниках диаграммы характеристических параметров этих центров (энергии ионизации $E_{t}$, сечения захвата основных носителей заряда $s_{t}$, фактора захвата $R$, равного отношению скорости прилипания к скорости рекомбинации) и соответствующих электронных ТСЯ (температура максимума $T_{m}$, скорость нагрева кристалла $\beta$). Диаграмма в безразмерных полулогарифмических координатах [${\lg(s_{t}/s_{0}(R+1)),~(E_{t}/kT_{m})]}$ — прямая с наклоном к оси $E_{t}/kT_{m}$ и координатами начальной точки, расположенными вблизи чисел 0.5, [5.0]. Параметр ${s_{0}=\beta(vN_{\text{эфф}}T_{m})^{-1}}$, $N_{\text{эфф}}$ — эффективная плотность состояний в зоне основных носителей заряда, $v$ — скорость последних.