Молекулярно-лучевая эпитаксия и фотолюминесцентное определение упругих деформаций слоев CaF$_{2}$ и SrF$_{2}$ на GaAs (111)

Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены диэлектрические слои CaF$_{2}$ и SrF$_{2}$ на GaAs (111). С помощью анализа картин дифракции быстрых электронов на отражение показано, что после предростовой очистки поверхности GaAs при $530^{\circ}$С с самых начальных стадий наблюдается эпитаксиальный рост фторида. При температуре очистки $580^{\circ}$С вначале наблюдается поликристаллический рост, затем происходит упорядоточение растущей поверхности и при толщине слоя около 100 нм наблюдается эпитаксия. Величины упругих деформаций, измеренных по деформационному смещению бесфононной линии Еu$^{2+}$ перехода $5d{-}4f$, составляли ${(0,6{-}0.8)\cdot10^{-2}}$ в первом случае и менее ${0.2\cdot10^{-2}}$ во втором.