Закономерности упрочнения, создаваемого ансамблем дислокационных диполей

Применительно к кристаллам MgO, где диполи являются доминирующим типом дислокационных конструкций при деформировании сжатием в широком интервале температур, с помощью метода моделирования на ЭВМ процесса прохождения гибкой дислокации через ансамбли диполей различной плотности исследовалась функциональная зависимость напряжения течения от плотности диполей. При плотностях диполей, меньших некоторой величины $\rho^{*}$, действие диполей оказывается аналогичным действию точечных препятствий (сосредоточенных сил): ${\tau\sim\sqrt{\rho}}$. При ${\rho>\rho^{*}}$ при оценке вклада диполей в упрочнение необходимо учитывать тонкую структуру поля напряжений диполя. В этом случае $\tau$ оказывается пропорциональным $\rho$.