Упругое рассеяние света вблизи точки Кюри в кристалле ТГС : Ni$^{2+}$

Исследованы температурные зависимости интенсивности упругого рассеяния света вблизи точки Кюри в кристалле ТГС с малой концентрацией примеси Ni$^{2+}$ (образующей в структуре ТГС заряженный комплекс), а также с примесями Сr$^{3+}$, Fe$^{3+}$ (образующими незаряженные неполярные комплексы) и Cu$^{2+}$ (образующей незаряженный неполярный комплекс). Только в образце ТГС : Ni$^{2+}$ ниже точки фазового перехода было обнаружено сильное рассеяние на несмещенной частоте, интенсивность которого обладала необычной температурной зависимостью. В теоретической части работы рассмотрено рассеяние 1-го порядка на точечных заряженных дефектах в одноосном сегнетоэлектрике. Оказалось, что такое рассеяние обладает специфической анизотропией, зависящей от температуры, и существенно превосходит по величине аналогичное рассеяние на полярных дефектах. Выводы теории находятся в хорошем согласии с экспериментом.