Взаимодействие точечных дефектов с атомами бора и фосфора в кристаллах Si при большой скорости генерации пар Френкеля

На основе экспериментов по облучению в высоковольтном электронном микроскопе исследован процесс формирования скоплений междоузельных атомов в кристаллах Si с большой концентрацией атомов B и P. Показана сильная зависимость данного процесса от типа примеси и условий для стока точечных дефектов на поверхность. На этом основании обсуждаются механизмы взаимодействия точечных дефектов с атомами примесей.