Примесные состояния в одноосно сжатых полупроводниках с вырожденными зонами

Рассмотрены особенности энергетического спектра точечных дефектов в полупроводниках с вырожденной зонной структурой (материалы $p$-типа, бесщелевые полупроводники) при одноосном сжатии, которое снимает вырождение зон. Четырехкратно вырожденный для изотропной модели в отсутствие деформации энергетический уровень расщепится на два вырожденных лишь по спину состояния. Резонансное акцепторное состояние превращается в локализованное при выходе в индуцированную деформацией запрещенную зону бесщелевого полупроводника. Для Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te с $0.04 < x < 0.16$ с ростом деформации эти состояния опять превращаются в резонансы на фоне валентной зоны (этот результат объясняет ранее наблюдавшийся переход металл$-$диэлектрик$-$металл). Отмечается возможность возникновения локальных донорных состояний для параметров бесщелевого полупроводника, близких к $\alpha$-Sn. В материалах $p$-типа с ростом деформации имеет место превращение обоих локальных акцепторных состояний в резонансные, причем нижнее состояние оказывается достаточно узким.