Модуляционное уширение спектральных линий примесных центров с вырожденными уровнями

Рассмотрено модуляционное уширение для спектральных линий, отвечающих вырожденным высокочастотным локальным колебаниям и электронным переходам. Показано, что процессы, которые возникают в четвертом порядке теории возмущений по взаимодействию, линейному по фононным операторам и перепутывающему примесные состояния с одинаковой энергией, приводят к модуляционному уширению $\sim T^{5}$ при температурах, значительно меньших дебаевской (вместо $T^{7}$ для невырожденных уровней). Подробно рассмотрен случай трехкратно вырожденных дипольно-активных локальных колебаний. Найденные соотношения ширин линий на основной частоте и ее обертоне согласуются с экспериментом. Исследовано влияние рассмотренного механизма модуляционного уширения на самоиндуцированное изменение поляризации излучения, частота которого близка к собственной частоте примесного перехода.