Движение жидких включений в кристалле, обусловленное радиационными дефектами

Обсуждается явление самопроизвольной миграции жидких включений в монокристаллах КСl, облученных высокоэнергетичными электронами. Термодинамическая оправданность процесса обусловлена исчезновением радиационных дефектов вследствие перекристаллизации вещества матрицы при движении включения. По кинетике движения вычислено повышение химического потенциала атомов кристалла, обусловленное радиационными дефектами. Сопоставление этой величины с энергией, запасаемой центрами окраски, позволяет сделать вывод о существенном влиянии границы кристалл$-$раствор на процесс рекомбинации радиационных дефектов в приграничном слое кристалла.