Создание центров окраски в щелочно-галоидных кристаллах при импульсном радиационном воздействии

Методами оптической спектроскопии с временны́м разрешением 7 нc для ряда щелочно-галоидных кристаллов (ЩГК) изучены закономерности создания и разрушения первичных центров окраски при импульсном облучении электронами (${E=0.25}$ МэВ, ${t_{n}=10}$ нc, флюенс ${P=7.6\cdot10^{11}}$ эл. $\cdot$ см$^{-2}$). Определены значения выхода $\eta$ и характеристического времени разрушения $\tau$ короткоживущих F,H-пap центров окраски и автолокализованных экситонов (АЛЭ) в диапазоне температур 80$-$400 K. Установлена корреляция между процессами образования устойчивых и короткоживущих F-центров в группе кристаллов хлоридов и бромидов К и Rb, аналогичная известной корреляции между созданием F-центров и АЛЭ триплетного типа в NaCl и иодидах щелочных металлов. Предложена общая для ЩГК модель распада двухгалоидных АЛЭ на дефекты, в соответствии с которой тип взаимосвязи термоактивированных процессов (создания устойчивых F-центров, тушения $\pi$-люминесценции и образования короткоживущих F,H-пap) определяется относительным расположением энергетических минимумов. двух состояний АЛЭ — $\pi$-излучательного и соответствующего промежуточной паре дефектов, — связанных общей потенциальной поверхностью. Выявлены закономерности в ряду ЩГК, устанавливающие наличие связи между характеристиками дефектообразования ($\eta^{}_{F}$, $\eta^{}_{\text{э}}$, $\tau^{}_{F}$, $\tau^{}_{\text{э}}$, $E_{p}$ и $E_{T}$) и кристаллическими параметрами (отношением длины двухгалоидного ядра АЛЭ к межанионному расстоянию).