RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 1990, том 32, выпуск 2, страницы 422–427 (Mi ftt5916)

Влияние микроструктуры на электрофизические характеристики Pb$_{5}$Ge$_{3}$O$_{11}$, полученного по стеклокерамической технологии

О. Ю. Малеваная, В. В. Михневич, С. Р. Сырцов, В. Н. Шут

Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук БССР, г. Минск

Аннотация: Исследовано влияние температуры термообработки на микроструктуру и свойства Pb$_{5}$Ge$_{3}$O$_{11}$, полученного по стеклокерамической технологии. Показано, что определяющую роль в изменении электрофизических характеристик данной системы играют внутренние напряжения, величина которых зависит от параметров микроструктуры. Обсуждены возможные механизмы возникновения и релаксации внутренних напряжений.

УДК: 537.226

Поступила в редакцию: 18.07.1989



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024