Электронная теплопроводность сильно легированного селенида свинца

Измеряется и анализируется теплопроводность образцов PbSe с концентрацией электронов ${2\cdot10^{19}{-}3\cdot10^{20}}$ см$^{-3}$ при легировании хлором и при двойном легировании индием и хлором в интервале температур $80-400$ K. При использовании в расчете электронной теплопроводности при $300$ K числа Лоренца, соответствующего упругому рассеянию, после вычитания электронной составляющей из измеренной полной теплопроводности оказывается, что решеточное тепловое сопротивление растет с увеличением концентрации электронов $n$, достигает максимума при ${n\sim10^{20}}$ см$^{-3}$, затем падает до значения, соответствующего слабо легированным образцам. Включение в рассмотрение межэлектронных столкновений приводит к уменьшению числа Лоренца при $300$ K (до $20$,% при ${n\sim2\cdot10^{19}}$ см$^{-3}$) и к величине решеточной теплопроводности, независящей от $n$. Такой же результат для решеточной теплопроводности получен при $80$ K, где число Лоренца значительно снижено благодаря неупругости рассеяния. Таким образом, дополнительное тепловое сопротивление, обусловленное рассеянием фононов на заряженных примесных атомах, в PbSe отсутствует.