О распределении поля в краевых магнитоплазменных колебаниях в 2$D$ канале гетероструктуры GaAs$-$AlGaAs

Исследуются низкочастотные (${\omega\tau\ll1}$, $\tau$ — время релаксации импульса) краевые магнитоплазменные колебания (КМК) в 2$D$ электронном канале гетероструктуры GaAs$-$AlGaAs. Показано, что в зависимости от формы диэлектрика, на котором находится электронный 2$D$ канал, колебание может быть как распределенным, так и локализованным у края 2$D$ канала. Впервые проведены измерения низкочастотных КМК в условиях, допускающих сравнение с теоретическими расчетами. Определен размер области вблизи границы 2$D$ канала, в которой сосредоточен заряд КМК. Обсуждаются возможные механизмы, определяющие локализацию заряда КМК у края 2$D$ канала.