Движение дислокаций в кристаллах LiF под действием электрического поля

Исследовано движение дислокаций под действием сильного (до 50 МВ/м) электрического поля в ненагруженных кристаллах LiF. Определено критическое поле, при котором начинается движение дислокаций, и сделана оценка линейной плотности электрического заряда краевых дислокаций. Проведен сравнительный анализ оценок дислокационного заряда, полученных из трех методически независимых экспериментов: по движению дислокаций во внешнем электрическом поле, а также из данных по прямому и обратному электропластическим эффектам. Показано, что в электрических полях возможно движение не только отдельных дислокаций, но и краевых дислокационных диполей. Установлено, что движение краевых диполей может происходить при значительно меньших усилиях по сравнению с отдельными дислокациями.