Поглощение света свободными носителями в бесщелевых полупроводниках (БП) I рода

Теоретически исследовано поглощение ИК излучения свободными носителями в бесщелевом полупроводнике с «ультрарелятивистскими» зонами. Учтено рассеяние электронов на смешанных плазмон-$LO$-фононных модах, а также на стехиометрических дефектах решетки. В этих двух случаях вычислена вещественная часть высокочастотной проводимости $\sigma$ при ${T=0}$ и проанализирована ее частотная зависимость. Из расчета следует, что относительный вклад рассмотренных механизмов рассеяния в Re $\sigma$ зависит от энергии поглощаемого фотона. В дальней ИК области доминирует поглощение, обусловленное рассеянием электронов на дефектах, в средней — на верхней, (плазмоноподобной) гибридной моде. Показано, что на частоте этой моды должна возникать пороговая особенность в поглощение света, проявляющаяся в виде излома на кривой зависимости коэффициента поглощения от частоты.