Адсорбция атомов гольмия на гранях монокристалла вольфрама

Методом автоэлектронной микроскопии в условиях сверхвысокого вакуума исследовано изменение работы выхода основных граней монокристалла вольфрама в зависимости от абсолютных концентраций адатомов гольмия при температуре подложки 77 K. Различные предельные значения работ выхода на разных гранях свидетельствуют о важной роли поверхности подложки в процессе формирования и роста адслоев гольмия. В пределе нулевого покрытия определены дипольные моменты адатомов гольмия на всех исследованных гранях вольфрама. Обнаружено влияние температуры формирования адслоя гольмия на работу выхода системы Ho$-$грани W, приводящее к увеличению эмиссионной способности адсистемы с ростом температуры подложки.