Захват электронно-дырочных пар на границе гетероперехода второго типа

Для модельной гетероструктуры второго типа с равными параметрами справа и слева от перехода рассмотрены возможные типы поведения потенциала вблизи перехода при нулевой температуре. Показано, что при больших уровнях внешней накачка потенциал может иметь осциллирующий характер поведения.