Фононопроводимость легированных кристаллов $n$-Ge

Приведены результаты экспериментальных исследований изменения проводимости кристаллов $n$-Ge при ${T=2\div 4.2}$ K, стимулированного потоками неравновесных акустических фононов. Исследовались некомпенсированные образцы с концентрациями ${N_{d}^{\text{Sb}} = 2\cdot10^{16}}$ и ${N_{d}^{\text{As}}=1.5\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$, близкими к переходу Мотта. Изменение проводимости сопоставлялось с времяпролетными спектрами неравновесных фононов в этих же кристаллах. Показано, что приложение одноосного давления вдоль $\langle 111\rangle$ направления влияет как на акустическую прозрачность кристалла, так и на величину и характер фононопроводимости. В Ge : Sb при ${P>4\cdot 10^{8}\,\text{дин/см}^{2}}$ изменение тока однозначно связано с участием акустических фононов в прыжковой проводимости. Результаты в Ge : As анализируются с привлечением малоизученного неупругого механизма поглощения фононов при переходе электрона их связанного состояния в Д$^{-}$ зону. Обнаружено аномально сильное поглощение $T_{1}A$ фононов в кристалле Ge : As.