Ширина линий экситонного поглощения в твердых растворах In$_{1-x}$Ga$_{x}$As/InP

Исследованы спектры края поглощения полупроводникового твердого раствора In$_{1-x}$Ga$_{x}$As/InP. В напряженных и свободных от напряжений образцах получены зависимости сил осцилляторов и ширин экситонных линий от величины магнитного поля. Проведено сравнение этих зависимостей с теорией уширения экситонных линий в полупроводниковых твердых растворах. Показано, что зависимость ширины экситонной линии в In$_{1-x}$Ga$_{x}$As/InP от магнитного поля хорошо описывается в рамках модели «донороподобного экситона».