О влиянии точечных дефектов на нелинейные упругие свойства вблизи точки фазового перехода

Получены температурно-аномальные поправки к упругому модулю третьего порядка в кристаллах с структурным фазовым переходом при наличии незаряженных точечных дефектов, а также в случае сегнетоэлектрического фазового перехода в присутствии заряженных точечных и дипольных примесей. Результаты непосредственно обобщаются для упругих модулей более высоких порядков. Рассматриваются точечные дефекты, относящиеся к типу дефектов с нарушением симметрии кристалла с фазовым переходом. Расчеты применимы в области вне критического режима, где взаимодействие между дефектами мало. Предполагается, что в исходном кристалле переход происходит в однородное состояние. Проведено сравнение относительной роли примесных и флуктуационных вкладов. Для структурных дефектов и для дипольных в трехосном сегнетоэлектрике модуль упругости третьего порядка $C\sim \alpha^{-5/2}$, где $\alpha$ характеризует температурную зависимость щели в спектре критических фононов. В трехосном сегнетоэлектрике с заряженными дефектами $C \sim \alpha^{-3/2}$, а в одноосном без пьезоэффекта в парафазе точечные заряженные дефекты дают $C \sim \alpha^{-2}$, для дипольных $C\sim \alpha^{-1}$. В присутствии пьезоэффекта соответственно $C \sim \alpha^{-3/2}$ и $C\sim \alpha^{-1/2}$. Таким образом, наибольшие по величине и более резкие температурные аномалии имеют место при структурных фазовых переходах, а также для заряженных точечных дефектов в одноосных сегнетоэлектриках, у которых критическая мода непосредственно взаимодействует с электрическим полем примесей.