Аннотация:
Рассмотрено нерезонансное поглощение энергии высокочастотного электрического поля в легкоплоскостных антиферромагнитных полупроводниках и диэлектриках, обладающих магнитоэлектрическим эффектом. Проведено сравнение различных каналов поглощения электрической и магнитной компонент поля. Установлено, что в антиферромагнитных диэлектриках основной вклад в поглощение дает магнитная компонента электромагнитной волны. Показано, что высокочастотное электрическое поле может стимулировать слабый ферромагнитный момент легкоплоскостного антиферромагнитного полупроводника.