Взаимодействие точечных дефектов с доменными стенками в водородсодержащих сегнетоэлектриках

Приводятся оценки энергии взаимодействия точечных дефектов с доменными стенками на основе экспериментальных зависимостей эффективной диэлектрической проницаемости и второй гармоники тока переполяризации от амплитуды переменного электрического поля для ряда кристаллов группы KH$_{2}$PO$_{4}$ и триглицинсульфата. Показано, что энергия взаимодействия стремится к нулю при приближении к температуре фазового перехода, а ее абсолютные значения находятся в пределах $10^{-3}{-}10^{-1}$ эВ.