Кратковременный термический отжиг карбида кремния, имплантированного ионами Ga$^{+}$

Методом резерфордовского обратного рассеяния и каналирования ионов He изучены процессы восстановления кристаллической структуры и перераспределения примесей при кратковременном термическом отжиге монокристаллического $6H$SiC, имплантированного ионами Ga$^{+}$ с энергией 40 и 90 кэВ. Показано, что кратковременный (${\sim5}$ с) термический отжиг (1900$-$2200 K) приводит к полной рекристаллизации имплантированных слоев $6H$SiC при дозах менее критических. В случае больших доз структурное совершенство слоев повышается по мере увеличения количества галлия, испаренного из слоя при отжиге. Предложено описывать наблюдаемые изменения в профилях распределения Ga при отжиге в рамках модели, учитывающей три процесса: сегрегацию Ga в аморфной фазе SiC при эпитаксиальной рекристаллизации, селективную диффузию Ga только в аморфном SiC, также испарение Ga с поверхности SiC. Проведены численные расчеты согласно предложенной модели отжига.