Влияние морфологии образца на фазовые переходы в TlGaSe$_{2}$

Проведены измерения теплоемкости $C_{p}$ монокристаллического и порошкообразного образцов TlGaSe$_{2}$, в интервале 80$-$180 K. Обнаружены аномальные изменения особенностей на кривой $C_{p}(T)$, связанных с фазовыми переходами, в порошке по сравнению с монокристаллом. Эти изменения связываются с влиянием электрических полей поверхностных зарядов, проникающих в глубь образца на расстояние радиуса дебаевского экранирования и смещающих температуры фазовых переходов.