Аннотация:
Методом ЯМР ${}^{69}$Ga и ${}^{71}$Ga исследованы квадрупольные эффекты в TlGaSe$_{2}$ в области температур 120$-$330 K. Определены параметр асимметрии и ориентация осей тензора градиента электрического поля на ядрах галлия выше и ниже температуры ${T_{i}=247.5}$ K фазового перехода в TlGaSe$_{2}$. Приводятся доказательства наличия слабой связи Тl$-$Ga между слоистой и цепочечной подрешетками TlGaSe$_{2}$. Предполагается, что фазовый переход связан с потерей устойчивости решетки относительно поворотов тетраэдров Ga$_{4}$Se$_{10}$ вокруг связей Тl$-$Ga.