Влияние рассеяния дырок на поглощение инфракрасного излучения в полупроводниках $p$-типа с вырожденной валентной зоной

Теоретически изучено поглощение ИК излучения в дырочных полупроводниках с вырожденной валентной зоной при наличии рассеяния дырок на заряженных примесях, акустических и оптических фононах. Получена общая формула для коэффициента поглощения при наличии рассеяния, которая переходит в известное выражение для коэффициента поглощения при прямых переходах, если устремить к нулю вероятности рассеяния. Для случая низких температур (ему отвечает поглощение при непрямых фотопереходах) получены аналитические зависимости коэффициента (сечения) поглощения от частоты кванта излучения, температуры и параметров полупроводника. В широком интервале температур и частот указанные зависимости рассчитывались численно для $p$-германия при различных значениях концентрации примесей.