Фотоэмиссия арсенида галлия с отрицательным электронным сродством при различном уровне легирования

Предложена модель транспорта электронов в области приповерхностного пространственного заряда эмиттеров с отрицательным сродством к электрону. По этой модели основной пик кривых энергетического распределения фотоэлектронов, эмиттированных гранью $\{$111$\}$.В дырочного GaAs с различной степенью легирования, является суперпозицией групп $\Gamma$- и $X$-электронов: первые термализованы в $\Gamma$-минимуме зоны проводимости, вторые появляются в области пространственного заряда в результате рассеяния. Эксперимент и численное моделирование процессов транспорта и эмиссии показывают, что длина свободного пробега относительно всех видов фононного рассеяния и время жизни фотоэлектронов практически неизменны при варьировании легирования GaAs германием в пределах $1\cdot10^{17}{-}2\cdot10^{19}\,\text{см}^{-3}$.