Резонансная экситонная люминесценция GaAs: переход от поляритонной модели к модели независимых экситонов и фотонов

Впервые при исследовании резонансной экситонной люминесценции GaAs экспериментально наблюдался температурный переход от случая, характерного для сильного экситон-фотонного взаимодействия (поляритонная модель), к случаю, характерному для слабого экситон-фотонного взаимодействия (приближение независимых экситонов и фотонов). Этот переход происходит при температуре ${\simeq20}$ K, когда величина затухания экситонов достигает критического значения.