Нелинейное пропускание кристаллов CdS$_{x}$Se$_{1-x}$

Зарегистрировано нелинейное изменение пропускания в области края собственного поглощения кристаллов CdS$_{x}$Se$_{1-x}$ ($x =0.17;~80$ К) при низком уровне оптического возбуждения (до 30 кВт/см$^{2}$). Вид гистерезисных зависимостей интенсивности прошедшего света от интенсивности падающего указывал на существование двух механизмов нелинейности (тепловой и электронной природы), приводящих к наведенному поглощению. Зарегистрированы переколебания на заднем фронте прошедших импульсов, связанные с конкуренцией этих двух механизмов. Проведены двухлучевые эксперименты при синхронной накачке кристаллов мощными наносекундными импульсами N$_{2}$-лазера, позволившие разделить вклад электронных и тепловых процессов по времени релаксации наведенного поглощения.