Образование дефектов в кристаллах антрацена под воздействием УФ излучения эксимерного лазера

Количественно исследовано влияние интенсивности эксимерного лазера на спектры низкотемпературной люминесценции кристаллов антрацена. Механизм развития дислокации сводится к светоиндуцированию термических напряжений. Пороговая интенсивность генерации дислокаций 10$^{5}$ Вт/см$^{2}$, количество дислокаций растет линейно с дозой. При больших дозах тонкие лепестки разрушаются, а в толстых кристаллах спектры экситонного излучения подавляются полностью.