Специфика двумерных электронных состояний в инверсионных слоях полуметаллического Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te с флуктуационным перекрытием зон

Двумерный электронный газ в приповерхностных слоях сильнолегированного компенсированного полуметаллического Hg$_{0.89}$Cd$_{0.11}$Te одновременно обнаруживает черты, характерные для инверсионных и обогащенных слоев (нелинейная зависимость плотности $2D$ носителей от напряжения на полевом электроде и большие значения стартовых концентраций для возбужденных подзон, присущие инверсионным слоям; реализация режима \glqqкинематического связывания», обнаруженного ранее в вырожденных материалах $n$-типа). Наблюдаемые особенности могут быть объяснены в предположении сосуществования вырожденных дырочного и электронного газов высокой концентрации, что указывает на большую величину флуктуационного перекрытия зоны проводимости с валентной зоной в исследованном материале. Эффективное перекрытие зон $\Delta =20$ мэВ, определенное из анализа квантовых эффектов, хорошо согласуется с результатами гальваномагнитных измерений.