О выходе оже-электронов при взаимодействии рентгеновских лучей с кристаллом

Приведены результаты измерений относительного выхода $LVV$- и $KLL$-оже-электронов кремния, подтверждающие важную роль фотоэлектронов в генерации мягких оже-электронов. Получены угловые зависимости выхода $K$-фото-, $LVV$-, $KLL$-ожеэлектронов из кристалла кремния с аморфной пленкой на поверхности, которые независимо доказывают, что использование мягких оже-электронов в методе СРВ практически дает информацию о структуре кристалла на глубине выхода фотоэлектронов